FDS5670, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 10А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDS5670

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2146743

Технические параметры

Вес, г

0.11

Тип корпуса

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

4мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

PowerTrench

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

FDS56 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SOIC

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное рассеяние мощности

2.5 W

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2900 pF @ 15 V

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

10A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 15V

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

PowerTrenchВ® ->

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки включения

16 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

49 nC @ 10 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet FDS5670 , pdf , 286 КБ
Datasheet FDS5670 , pdf , 220 КБ

FDS5670, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 10А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench® - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация