ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MUN5113DW1T1G, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 187/256Вт, SOT363 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MUN5113DW1T1G, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 187/256…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MUN5113DW1T1G, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 187/256Вт, SOT363
Последняя цена
20 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR PNP 50V
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MUN5113DW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2146615
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.05
Pin Count
6
Minimum DC Current Gain
80@5mA@10V
Pd - рассеивание мощности
256 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.9 mm
Длина
2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Dual
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MUN5113DW1
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-363(PB-Free)-6
Ширина
1.25 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Configuration
Dual
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.3mA@10mA
Maximum Power Dissipation (mW)
385
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SC
Supplier Package
SC-88
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.9
Package Length
2
Package Width
1.25
PCB changed
6
Lead Shape
Gull-wing
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
47 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Typical Resistor Ratio
1
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)
100
Typical Input Resistor (kOhm)
47
Техническая документация
Datasheet MUN5113DW1T1G , pdf
, 84 КБ
Datasheet , pdf
, 280 КБ
