STU4N52K3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 525В, 2А, 45Вт, IPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 81 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STU4N52K3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2145906

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.38

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Lead Shape

Through Hole

Package Length

6.6(Max)

Package Width

2.4(Max)

PCB changed

Package Height

6.2(Max)

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

525

Maximum Power Dissipation (mW)

45000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Supplier Package

IPAK

Standard Package Name

TO-251

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

STU4N52K3

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

2.5 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

525 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STU4N52 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

525V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

I-PAK

Process Technology

SuperMESH 3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.6 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

334pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 1.25A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 50ВµA

Number of Elements per Chip

Series

SuperMESH3в„ў ->

Channel Mode

Enhancement

Qg - заряд затвора

11 nC

Время нарастания

7 ns

Время спада

14 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

21 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.5

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

2600@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

11@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

334@100V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

4.5

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

10000

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

Datasheet STU4N52K3 , pdf , 620 КБ
Datasheet , pdf , 586 КБ
Datasheet STU4N52K3 , pdf , 571 КБ

STU4N52K3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 525В, 2А, 45Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 81 руб.

Техническая документация