ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP29AG, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1А, 30Вт, TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
TIP29AG, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1А, 30Вт, TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP29AG, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1А, 30Вт, TO220AB
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT
Биполярные транзисторы - BJT 1A 60V 30W NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
TIP29AG
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2145799
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
2
Base Product Number
TIP29 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
300ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 4V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
3MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Pd - рассеивание мощности
2 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
9.28 mm (Max)
Длина
10.28 mm (Max)
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
40
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Серия
TIP29A
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
4.82 mm (Max)
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
3 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 257 КБ
Datasheet , pdf
, 111 КБ