BSP122.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,55А, 1,5Вт, SOT223, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный MOSFET, 100 В и выше, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSP122.115

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2145526

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

3.7 mm

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Число контактов

Конфигурация

Single Dual Drain

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

SOT-223 (SC-73)

Width

3.7мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Торговая марка

Nexperia

Длина

6.7 mm

Высота

1.7мм

Id - непрерывный ток утечки

550 mA

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSP122 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Номер канала

Поднятие

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.7 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

550mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.4V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 750mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

550 мА

Maximum Power Dissipation

1,5 Вт

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Другие названия товара №

BSP122 T/R

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

550mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 1mA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet BSP122,115 , pdf , 171 КБ
Datasheet BSP122,115 , pdf , 55 КБ
Datasheet BSP122.115 , pdf , 171 КБ

BSP122.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,55А, 1,5Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация