ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BD13510STU, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 1,5А, 12,5Вт, TO126 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BD13510STU, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 1,5А, 12,5Вт, TO126
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BD13510STU, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 1,5А, 12,5Вт, TO126
Последняя цена
65 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BD13510STU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2145159
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-126
Рассеиваемая Мощность
12.5Вт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
1.5А
DC Усиление Тока hFE
63hFE
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
0.85
Base Product Number
BD135 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Power - Max
1.25W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-126-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Линейка Продукции
BD135 Series
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
8.3мм
Maximum Collector Base Voltage
45 V
Transistor Configuration
Одиночный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
TO-126
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Width
3.45mm
Maximum DC Collector Current
1.5 A
Height
11.2мм
Pin Count
3
Dimensions
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
40
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Тип транзистора
NPN
Размеры
8.3 x 3.45 x 11.2мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Тип корпуса
TO-126
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 81 КБ
Datasheet , pdf
, 136 КБ