BC847BW-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 200мВт, SOT323, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 11 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC847BW-7-F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2145110

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.01

Base Product Number

BC847 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

20nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum DC Collector Current

100mA

Pin Count

Minimum DC Current Gain

200 2mA 5V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

200mW

Максимальное напряжение коллектор-база

50 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC847B

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.35мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 mV

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum DC Collector Current (A)

0.1

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

200

Maximum Transition Frequency (MHz)

300(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-323

Mounting

Surface Mount

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Supplier Temperature Grade

Automotive

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 322 КБ
Datasheet , pdf , 197 КБ
Datasheet , pdf , 370 КБ
Datasheet , pdf , 194 КБ
Datasheet , pdf , 117 КБ

BC847BW-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 200мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 11 руб.

Техническая документация