SBCP53-10T1G, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 1,5Вт, SOT223, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 59 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 80V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

SBCP53-10T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2144900

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

1.5Вт

Полярность Транзистора

PNP

DC Ток Коллектора

1.5А

DC Усиление Тока hFE

63hFE

Частота Перехода ft

50МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.2

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Линейка Продукции

BCP53

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

63 at - 150 mA, - 2 VDC

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1.5 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BCP53

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

160 at - 150 mA, - 2 VDC

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 144 КБ

SBCP53-10T1G, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 1,5Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 59 руб.

Техническая документация