ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MUN2213T1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 230/338Вт, SC59 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MUN2213T1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 230/338Вт, SC…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MUN2213T1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 230/338Вт, SC59
Последняя цена
12 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MUN2213T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2143130
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.05
Base Product Number
MUN2213 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
338mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Length
2.9 mm
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Width
1.5 mm
Height
1.09 mm
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
80@5mA@10V
Pd - Power Dissipation
230 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.09мм
Pd - рассеивание мощности
230 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.09мм
Длина
2.9мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80, 140
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MUN2213
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-59-3
Ширина
1.5мм
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80
Series
MUN2213
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Количество элементов на ИС
1
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Transistors - Pre-Biased
Configuration
Single
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.3mA@10mA
Maximum Power Dissipation (mW)
338
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SC
Supplier Package
SC-59
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.09
Package Length
2.9
Package Width
1.5
PCB changed
3
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Число контактов
3
Manufacturer
ON Semiconductor
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Typical Input Resistor
47 kOhms
Типичный входной резистор
47 кΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
47 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Typical Resistor Ratio
1
Типичный коэффициент резистора
1
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min
80, 140
DC Current Gain HFE Max
80
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Subcategory
Transistors
Unit Weight
0.000282 oz
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)
100
Typical Input Resistor (kOhm)
47
Peak DC Collector Current
100 mA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 418 КБ
Datasheet MUN2213T1G , pdf
, 106 КБ
Datasheet , pdf
, 137 КБ