TIP32AG, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 3А, 40Вт, TO220-3, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP THT

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

TIP32AG

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2143082

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

Base Product Number

TIP32 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

300ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

3MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Number of Elements per Chip

Length

10.28mm

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Maximum Power Dissipation

40 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

4.82mm

Maximum DC Collector Current

3 A

Height

15.75mm

Pin Count

Dimensions

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

Pd - рассеивание мощности

40 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

15.75 mm

Длина

10.53 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

3 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

TIP32A

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.83 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

3 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.2 V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-65 to 150

Maximum Base Current (A)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@375mA@3A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

2000

Maximum Transition Frequency (MHz)

3(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Yes

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

9.28(Max)

Package Length

10.53(Max)

Package Width

4.83(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Техническая документация

Datasheet TIP31G/AG/BG/CG, TIP32G/AG/BG/CG (ON Semiconductor) , pdf , 81 КБ
Datasheet , pdf , 230 КБ
Datasheet , pdf , 84 КБ

TIP32AG, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 3А, 40Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация