ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFN300N20X3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFN300N20X3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFN300N20X3
Последняя цена
6980 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 MINI
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2141341
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
30
Series
HiPerFETв„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
300A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
375nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
23800pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Power Dissipation (Max)
695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 150A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-227B
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Id - непрерывный ток утечки
300 A
Pd - рассеивание мощности
695 W
Qg - заряд затвора
375 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
43 ns
Время спада
13 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
80 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
10
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
184 ns
Типичное время задержки при включении
44 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка / блок
SOT-227-4
Упаковка
Tube
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXFN300N20X3 , pdf
, 287 КБ
