FCP20N60, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 20 А, 0.15 Ом, 208W

N-канал 600V 20A (Tc) 208W (Tc) сквозное отверстие TO-220-3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2141295

Технические параметры

Вес, г

2.8

Series

SuperFETв„ў ->

Base Product Number

FCP20 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

208W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet FCP20N60 , pdf , 647 КБ
Datasheet FCP20N60 , pdf , 618 КБ

FCP20N60 - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.

Техническая документация