ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCX55-16.115, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1А, 500мВт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCX55-16.115, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1А, 500мВт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCX55-16.115, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1А, 500мВт, SOT89
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BCX55-16.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2140754
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.07
Base Product Number
BCX55 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
180MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
1.25W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Pd - Power Dissipation
1.25W
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Pd - рассеивание мощности
1250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.6мм
Другие названия товара №
BCX55-16 T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
100 at 150 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
180 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,25 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
180 MHz
Число контактов
4
Тип корпуса
UPAK
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
BCP55_BCX55_BC55PA , pdf
, 1152 КБ
Datasheet , pdf
, 1979 КБ