FQD18N20V2TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 9,75А, 83Вт, DPAK, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 200V N-Ch adv QFET V2 Series

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQD18N20V2TM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2140553

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.36

Length

6.73мм

Brand

ON Semiconductor

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

6.22 mm

Число контактов

2 + Tab

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Package Type

DPAK

Width

6.22мм

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FQD18N20V2

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.26мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.26мм

Id - непрерывный ток утечки

15 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

11 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

140 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Время нарастания

133 ns

Время спада

62 ns

Типичное время задержки выключения

38 ns

Типичное время задержки при включении

16 ns

Техническая документация

Datasheet FQD18N20V2TM , pdf , 886 КБ
Datasheet FQD18N20V2TM , pdf , 900 КБ

FQD18N20V2TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 9,75А, 83Вт, DPAK, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.

Техническая документация