ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FZT956TA, Транзистор биполярный,p-n-p, 200В, 2А, 3Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FZT956TA, Транзистор биполярный,p-n-p, 200В, 2А, 3Вт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FZT956TA, Транзистор биполярный,p-n-p, 200В, 2А, 3Вт, SOT223
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
FZT956TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2140104
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.23
Base Product Number
FZT956 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
2A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
110MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
3W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
370mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
2A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
200V
Pd - Power Dissipation
3W
Максимальное напряжение коллектор-база
220 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1.65 x 6.7 x 3.7мм
Pd - рассеивание мощности
3 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.65мм
Длина
6.7мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
5 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
220 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
200 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Непрерывный коллекторный ток
2 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
FZT956
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7мм
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
110 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.275 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
275 mV
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
200 V
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
110 MHz
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,11 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Техническая документация
Datasheet FZT956TA , pdf
, 458 КБ
Datasheet , pdf
, 230 КБ
Datasheet , pdf
, 450 КБ