BSH111BKR, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 905, корпус: SOT23

МОП-транзистор 55V N-channel Trench МОП-транзистор

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2139548

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.035

Package Type

TO-236AB

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

Length

3мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Series

BSH111BK

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8.1 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

10 V

Base Product Number

BSH111 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

210mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 30V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

302mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 200mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

210 mA

Pd - рассеивание мощности

364 mW

Qg - заряд затвора

0.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

55 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

600 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8.4 ns

Время спада

4.8 ns

Другие названия товара №

934068056215

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

12.6 ns

Типичное время задержки при включении

8.3 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

1.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

0.5 nC @ 4.5 V

Максимальное напряжение затвор-исток

10 V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

335 mA

Maximum Power Dissipation

1.45 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1мм

Maximum Drain Source Voltage

55 В

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Техническая документация

Datasheet BSH111BKR , pdf , 737 КБ
Datasheet BSH111BKR , pdf , 736 КБ
Datasheet BSH111BKR , pdf , 284 КБ

BSH111BKR - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация