STY60NM50, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 37,8А, 560Вт, мAX247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1720 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 500 Volt 60 Amp

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STY60NM50

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2139382

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

7.34

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Package Length

15.9(Max)

Package Width

5.3(Max)

PCB changed

Package Height

20.3(Max)

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

500

Maximum Power Dissipation (mW)

560000

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Supplier Package

Max247

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

150

Серия

STY60NM50

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

15.9 mm

Высота

20.3 mm

Id - непрерывный ток утечки

60 A

Pd - рассеивание мощности

560 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

65 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

Max247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STY60 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

MAX247в„ў

Process Technology

MDmesh

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

50 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

560W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 30A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Series

MDmeshв„ў ->

Channel Mode

Enhancement

Время нарастания

58 ns

Время спада

46 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки при включении

51 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

266nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

50@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

190@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

190

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

7500@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Техническая документация

Datasheet , pdf , 287 КБ
Datasheet STY60NM50 , pdf , 195 КБ
Datasheet STY60NM50 , pdf , 286 КБ

STY60NM50, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 37,8А, 560Вт, мAX247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1720 руб.

Техническая документация