ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
KSA1013YTA, Транзистор PNP, биполярный, 160В, 1А, 900мВт, TO92 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
KSA1013YTA, Транзистор PNP, биполярный, 160В, 1А, 900мВт, TO92
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
KSA1013YTA, Транзистор PNP, биполярный, 160В, 1А, 900мВт, TO92
Последняя цена
41 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP THT
Малосигнальные транзисторы PNP, от 60 до 160 В, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
KSA1013YTA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2138836
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.16
Base Product Number
KSA1013 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 200mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
50MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Power - Max
900mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-160 V
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
PNP
Размеры
5.1 x 4.1 x 8.2мм
Pd - рассеивание мощности
900 mW
Вид монтажа
Through Hole
Высота
8.2мм
Длина
5.1мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
60
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
160 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2000
Серия
KSA1013
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Ammo Pack
Упаковка / блок
TO-92-3
Ширина
4.1мм
Другие названия товара №
KSA1013YTA_NL
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
320
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
50 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1.5 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.5 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
160 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 V
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-92
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 370 КБ
Datasheet , pdf
, 369 КБ