BC858B-7-F, Транзистор PNP, биполярный, 30В, 100мА, 350мВт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC858B-7-F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2137417

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.01

Transistor Type

PNP

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-650 mV

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Maximum Collector Base Voltage

-30 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Power Dissipation

350 мВт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Maximum DC Collector Current

100 mA

Pin Count

Minimum DC Current Gain

330, 600

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220 at -2 mA, - 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC858

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.35мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-650 mV

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

650 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-850 mV, -700 mV

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-850 мВ, -700 мВ

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

330, 600

Техническая документация

Datasheet , pdf , 294 КБ
Datasheet , pdf , 355 КБ

BC858B-7-F, Транзистор PNP, биполярный, 30В, 100мА, 350мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация