SI4425DDY-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 19.7 А, 5.7 Вт

МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs SO-8

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2137374

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.2

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

19.7 A

Pd - рассеивание мощности

5.7 W

Qg - заряд затвора

53 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

9.8 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

9 ns

Время спада

9 ns

Другие названия товара №

SI4425DDY-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

40 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI4

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

42 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

SO-8

Техническая документация

Datasheet SI4425DDY-T1-GE3 , pdf , 189 КБ
Datasheet SI4425DDY-T1-GE3 , pdf , 255 КБ

SI4425DDY-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация