BSP89.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 240В, 375мА, 1,5Вт, SOT223, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный MOSFET, 100 В и выше, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSP89.115

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2136816

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.14

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Maximum Drain Source Voltage

240 В

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Package Type

SOT-223

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Торговая марка

Nexperia

Длина

6.7мм

Высота

1.7мм

Id - непрерывный ток утечки

375 mA

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

240 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSP89 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

240V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

375 мА

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 Ω

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.8 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

375mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 340mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Maximum Power Dissipation

1,5 Вт

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Другие названия товара №

934018750115

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

BSP89 , pdf , 56 КБ
Datasheet BSP89,115 , pdf , 172 КБ
Datasheet BSP89.115 , pdf , 171 КБ

BSP89.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 240В, 375мА, 1,5Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация