STP8NM50N, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 3А, 45Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP8NM50N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2136646

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.95

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Channel Type

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Lead Shape

Through Hole

PCB changed

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

500

Maximum Power Dissipation (mW)

45000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Supplier Package

TO-220AB

Standard Package Name

TO-220

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP8NM50N

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

5 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STP8NM50 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Process Technology

MDmesh II

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

790 mOhms

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

364pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

790mOhm @ 2.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Series

MDmeshв„ў II ->

Channel Mode

Enhancement

Коммерческое обозначение

MDmesh

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±25

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

790 10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

14 10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

364 50V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

4.4

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Техническая документация

Datasheet STP8NM50N , pdf , 1160 КБ
Datasheet , pdf , 684 КБ
Datasheet , pdf , 647 КБ
Datasheet STP8NM50N , pdf , 658 КБ

STP8NM50N, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 3А, 45Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация