AUIRFU8403, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 90А, 99Вт, IPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

COOLiRFET ™ Power MOSFET, Infineon
Силовые MOSFET COOLiRFET ™ от Infineon, сертифицированные для автомобильной промышленности, имеют очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS (on)), очень низкие потери проводимости, в результате в высокоэффективных скоростях переключения сильноточных сигналов. Они обеспечивают более высокую эффективность, удельную мощность и надежность в жестких условиях передачи сигналов с устойчивыми лавинными характеристиками, низкими потерями проводимости, высокой скоростью переключения и максимальной температурой перехода 175 ° C.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

AUIRFU8403

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2136645

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.43

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

2.39мм

Height

6.22mm

Maximum Drain Source Voltage

40 В

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

IPAK (TO-251)

Width

2.39mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

COOLiRFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

6.73мм

Высота

6.22 mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

99 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

283 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

100 А, 127 А

Максимальное рассеяние мощности

99 W

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.1 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.9 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 A, 127 A

Maximum Power Dissipation

99 Вт

Series

COOLiRFET

Maximum Drain Source Resistance

3,1 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

66 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

66 nC

Время нарастания

32 ns

Время спада

23 ns

Коммерческое обозначение

CoolIRFet

Типичное время задержки выключения

31 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

66 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Другие названия товара №

SP001518276

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Квалификация

AEC-Q101

AUIRFU8403, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 90А, 99Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.