IRLU7843PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: I-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 161 А

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2136328

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.81

Максимальный непрерывный ток стока

161 A

Package Type

IPAK (TO-251)

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

2.39мм

Высота

7.49мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

6.73мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3.3 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Структура

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

160

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

140

Корпус

IPak

Длина

6.73мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

34 нс

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Размеры

6.73 x 2.39 x 7.49мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

25 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

4380 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Continuous Drain Current

161 A

Maximum Power Dissipation

140 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

7.49мм

Maximum Drain Source Resistance

3,3 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Крутизна характеристики S,А/В

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

2.3

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

3.3

Температура, С

-55…+175

IRLU7843PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.