ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6387G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 10А, 2Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N6387G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 10А, 2Вт, TO220-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6387G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 10А, 2Вт, TO220-3
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT
Транзисторы Дарлингтона 10A 60V Bipolar Power NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N6387G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2135264
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
2.02
Base Product Number
2N6387 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
10A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 100mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.53мм
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
65 Вт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
4.83мм
Pin Count
3
Dimensions
10.53 x 4.83 x 15.75мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Minimum DC Current Gain
1000
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15.75мм
Длина
10.53 mm
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Конфигурация
Одиночный
Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
Максимальный ток отсечки коллектора
1000 uA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Серия
2N6388
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
4.83 mm
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A dc
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 250 КБ
Datasheet 2N6387G , pdf
, 248 КБ