NSS30101LT1G, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 1А, 710мВт, SOT23, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 49 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

NPN-транзисторы общего назначения, до 1 А, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NSS30101LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2135208

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.01

Base Product Number

NSS30101 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

310mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 100mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.2 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

5 V dc

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

310 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

2.64mm

Maximum DC Collector Current

1 A

Height

1.11mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 2.64 x 1.11mm

Maximum Emitter Base Voltage

50 V

Minimum DC Current Gain

200

Максимальное напряжение коллектор-база

5 В пост. тока

Конфигурация транзистора

Одинарный

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

300

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

NSS30101LT1G

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,2 В

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.2 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.1 V

Техническая документация

Datasheet NSS30101LT1G , pdf , 163 КБ
Datasheet NSS30101LT1G , pdf , 166 КБ
Datasheet NSS30101LT1G , pdf , 129 КБ

NSS30101LT1G, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 1А, 710мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 49 руб.

Техническая документация