ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2STF2360-ST, Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 3А, 1,4Вт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
2STF2360-ST, Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 3А, 1,4Вт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2STF2360-ST, Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 3А, 1,4Вт, SOT89
Последняя цена
74 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Транзисторы PNP общего назначения, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
2STF2360
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2134970
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
1
Base Product Number
2STF2360 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 1A, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
130MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
1.4W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
3A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Pd - Power Dissipation
1.4W
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Pd - рассеивание мощности
1400 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
2STF2360
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.6мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
130 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-500 mV
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 V
Максимальная рабочая частота
130 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-89
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.2 V
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 194 КБ
Datasheet 2STF2360 , pdf
, 182 КБ