PSMN1R7-60BS.118, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 120А, 306Вт, D2PAK, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 500 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PSMN1R7-60BS.118

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2133412

Технические параметры

Вес, г

1.83

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.3мм

Brand

Nexperia

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Type

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

D2PAK (TO-263)

Width

11мм

Pin Count

Высота

4.5мм

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

120 А

Maximum Power Dissipation

306 W

Maximum Drain Source Resistance

3.1 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

137 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet PSMN1R7-60BS,118 , pdf , 230 КБ

PSMN1R7-60BS.118, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 120А, 306Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 500 руб.

Техническая документация