ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FZT653TA, Транзистор NPN, биполярный, 120В, 2А, 3Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FZT653TA, Транзистор NPN, биполярный, 120В, 2А, 3Вт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FZT653TA, Транзистор NPN, биполярный, 120В, 2А, 3Вт, SOT223
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
FZT653TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2133174
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.12
Base Product Number
FZT653 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
175MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Maximum DC Collector Current
2A
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
25@2A@2V|70@50mA@2V|100@500mA@2V|55@1A@2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
2W
Максимальное напряжение коллектор-база
120 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.65 x 6.7 x 3.7мм
Pd - рассеивание мощности
2 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.65мм
Длина
6.7мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
2 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
FZT653
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
175 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.23 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
120
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.25@100mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A
Maximum DC Collector Current (A)
2
Maximum Power Dissipation (mW)
3000
Maximum Transition Frequency (MHz)
175(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
Yes
Standard Package Name
SOT-223
Supplier Package
SOT-223
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.65(Max)
Package Length
6.7(Max)
Package Width
3.7(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
175 МГц
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.25 V
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet FZT653 , pdf
, 636 КБ
Datasheet FZT653TA , pdf
, 967 КБ
Datasheet FZT653TA , pdf
, 655 КБ
Datasheet FZT653TA , pdf
, 631 КБ