MUN5114DW1T1G, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 187/256Вт, SOT363, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MUN5114DW1T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2133100

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.02

Base Product Number

MUN5114 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-88/SC70-6/SOT-363

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9 mm

Длина

2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Dual

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN5114DW1

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-88-6

Ширина

1.25 mm

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

80 at 5 mA at 10 V

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

10 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

0.21

Resistor - Base (R1)

10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47kOhms

Техническая документация

Datasheet MUN5114DW1T1G , pdf , 125 КБ
Datasheet MUN5114DW1T1G , pdf , 289 КБ
Datasheet MUN5114DW1T1G , pdf , 134 КБ

MUN5114DW1T1G, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 187/256Вт, SOT363 - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация