ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SS8550DTA, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 1,5А, 1Вт, TO92 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
SS8550DTA, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 1,5А, 1Вт, TO92
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SS8550DTA, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 1,5А, 1Вт, TO92
Последняя цена
20 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP THT
Малосигнальные транзисторы PNP, до 30 В, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
SS8550DTA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2131499
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.27
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0,5 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
25 V
Package Type
TO-92
Maximum Power Dissipation
1 Вт
Maximum DC Collector Current
1,5 A
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
40
Максимальное напряжение коллектор-база
-40 V
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
PNP
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.5 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
25 В
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 V
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1,2 В
Тип корпуса
TO-92
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.2 V
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40