2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 38 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

2N7002T-7-F

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2131033

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.02

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

0.85

Height

0.8мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

0.85мм

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

1.6

Package Width

0.8

PCB changed

Package Height

0.75

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

150

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOT-523

Standard Package Name

SOT

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

2N7002

Тип

Enhancement Mode Field Effect Transistor

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

1.7мм

Высота

0.8мм

Размеры

1.7 x 0.85 x 0.8мм

Id - непрерывный ток утечки

115 mA

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 mS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-523-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

2N7002 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SOT-523

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-523

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Supplier Temperature Grade

Commercial

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

115 mA

Максимальное рассеяние мощности

150 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

13,5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

22 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

115mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

150mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

115 мА

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Типичное время задержки выключения

11 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Типичное время задержки включения

7 ns

Категория

Малый сигнал

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

115mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

150mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Product Category

Small Signal

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.115

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

7500@5V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

22@25V

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

Maximum IDSS (uA)

Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)

0.115

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)

0.15

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

0.8

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

2@25V

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

Typical Output Capacitance (pF)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 436 КБ
Datasheet 2N7002T-7-F , pdf , 380 КБ
Datasheet , pdf , 108 КБ
Datasheet 2N7002T-7-F , pdf , 396 КБ

2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523 - характеристики, поставщики

Последняя цена 38 руб.

Техническая документация