IXFK170N20T, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 170A 200V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2130915

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

Ширина

5.13 mm

Высота

26.16 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

170 A

Pd - рассеивание мощности

1.15 kW

Qg - заряд затвора

265 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

11 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

28 ns

Время спада

22 ns

Длина

19.96 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

85 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFK170N20

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

80 ns

Типичное время задержки при включении

33 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

TO-264-3

Тип

GigaMOS Power MOSFET

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IXFK170N20T , pdf , 131 КБ

IXFK170N20T - характеристики, поставщики

Последняя цена 2210 руб.

Техническая документация