ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXA55I1200HJ, Транзистор БТИЗ, 1200В 84A 290Вт TO247-Isoplus - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXA55I1200HJ, Транзистор БТИЗ, 1200В 84A 290Вт TO247-Isoplus
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXA55I1200HJ, Транзистор БТИЗ, 1200В 84A 290Вт TO247-Isoplus
Последняя цена
1670 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXA55I1200HJ
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2130575
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
ISOPLUS247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
16.13мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
84 A
Максимальное рассеяние мощности
290 W
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
21.34мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.34мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Ширина
5.21мм
Конфигурация
Single
Вес, г
6
Pd - рассеивание мощности
290 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
84 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
54 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
500 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
ISOPLUS 247-3
Серия
IXA55I1200HJ
Технология
Si
Коммерческое обозначение
XPT
Техническая документация
Datasheet IXA55I1200HJ , pdf
, 113 КБ