BD681G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 4А, 40Вт, TO126, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BD681G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2130574

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.65

Base Product Number

BD681 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

500ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-225AA, TO-126-3

Power - Max

40W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-225AA

Transistor Type

NPN - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

100V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Minimum DC Current Gain

750@1.5A@3V

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

7.74 x 2.66 x 11.04мм

Высота

11.04мм

Длина

7.74мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

2.66мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Количество элементов на ИС

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

100

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

2.5@30mA@1.5A

Maximum Power Dissipation (mW)

40000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Box

Automotive

Supplier Package

TO-225

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

11.04(Max)

Package Length

7.74(Max)

Package Width

2.66(Max)

PCB changed

Tab

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

TO-225

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (uA)

200

Техническая документация

Datasheet , pdf , 82 КБ
Datasheet , pdf , 141 КБ
BD675_D-1802630 , pdf , 141 КБ

BD681G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 4А, 40Вт, TO126 - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация