IPA65R650CEXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 7А, 28Вт, PG-TO220-3-FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA65R650CEXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2130388

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.14

Length

10.65mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.85 mm

Height

16.15mm

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220FP

Width

4.9mm

Pin Count

3 + Tab

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.65 mm

Высота

16.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

10.1 A

Pd - рассеивание мощности

28 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPA65R650 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220 Full Pack

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Максимальный непрерывный ток стока

10.1 A

Максимальное рассеяние мощности

86 W

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

1.4 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

650 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

650 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

28W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 2.1A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 210ВµA

Number of Elements per Chip

Series

CoolMOSв„ў CE ->

Forward Diode Voltage

0.9V

Qg - заряд затвора

23 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

11 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

64 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

23 nC @ 10 V

Другие названия товара №

IPA65R650CE SP001295804

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1208 КБ
Datasheet IPA65R650CEXKSA1 , pdf , 1159 КБ

IPA65R650CEXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 7А, 28Вт, PG-TO220-3-FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация