ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFBG20PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 1,4A 54Вт TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFBG20PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 1,4A 54Вт TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IRFBG20PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 1,4A 54Вт TO220AB
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFBG20PBF
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2130307
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
1.99
Тип корпуса
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Ширина
4.7мм
Число контактов
3
Конфигурация
Single
Channel Type
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Pin Count
3
Configuration
Single
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.10.00.80
Lead Shape
Through Hole
Package Length
10.51(Max)
Package Width
4.65(Max)
PCB changed
3
Package Height
9.01(Max)
Mounting
Through Hole
Maximum Drain Source Voltage (V)
1000
Maximum Power Dissipation (mW)
54000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Automotive
No
Supplier Package
TO-220AB
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IRFBG
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Длина
10.41мм
Высота
9.01мм
Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Id - непрерывный ток утечки
1.4 A
Pd - рассеивание мощности
54 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1 kV
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
1 S
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220AB-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
IRFBG20 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Производитель
Vishay
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
1,4 A
Максимальное рассеяние мощности
54 W
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
11 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
1000 V
Материал транзистора
SI
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
500 пФ при 25 В
Тип канала
N
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
11 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Qg - заряд затвора
38 nC
Время нарастания
17 ns
Время спада
31 ns
Типичное время задержки выключения
58 нс
Типичное время задержки при включении
9.4 ns
Типичное время задержки включения
9.4 ns
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Product Category
Power MOSFET
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Drain Current (A)
1.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
11000@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
38(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
38(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
500@25V
Typical Fall Time (ns)
31
Typical Rise Time (ns)
17
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
58
Typical Turn-On Delay Time (ns)
9.4
Tab
Tab
Other Related Documents
http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Техническая документация
Datasheet IRFBG20PBF , pdf
, 514 КБ
Datasheet IRFBG20PBF , pdf
, 1104 КБ
Datasheet IRFBG20PBF , pdf
, 498 КБ