FQP46N15, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 32,2А, 210Вт, TO220, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 370 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

QFET® N-канальный МОП-транзистор, более 31 А, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкого круга потребителей. диапазон приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), осветительные балласты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь в открытом состоянии за счет снижения сопротивления во включенном состоянии ( RDS (вкл.)) И снижение потерь переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP46N15

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2129525

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.97

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7

Maximum Drain Source Voltage

150 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220AB

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.1мм

Высота

9.4мм

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Id - непрерывный ток утечки

45.6 A

Pd - рассеивание мощности

210 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

33 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQP4 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

45 А

Максимальное рассеяние мощности

210 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

42 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2500 pF @ 25 V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

42 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

45.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3250pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

210W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 22.8A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Continuous Drain Current

45 А

Series

QFET

Maximum Drain Source Resistance

42 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

85 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-25 В, +25 В

Время нарастания

320 ns

Время спада

200 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

210 нс

Типичное время задержки при включении

35 ns

Типичное время задержки включения

35 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

85 нКл при 10 В

Другие названия товара №

FQP46N15_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet FQP46N15 , pdf , 751 КБ
Datasheet FQP46N15 , pdf , 927 КБ
Datasheet FQP46N15 , pdf , 922 КБ

FQP46N15, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 32,2А, 210Вт, TO220, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 370 руб.

Техническая документация