ZTX653STZ, Транзистор NPN, биполярный, 100В, 2А, 1Вт, TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 80 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZTX653STZ

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2129165

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+200 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,5 В

Maximum Operating Frequency

175 МГц

Maximum Collector Base Voltage

120 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

100 В

Dimensions

4.01 x 4.77 x 2.41мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

120 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.01 x 4.77 x 2.41мм

Pd - рассеивание мощности

1 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

4.01мм

Длина

4.77мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

ZTX653S

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-92-3

Ширина

2.41мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

175 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.23 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

2 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

175 МГц

Число контактов

Тип корпуса

E-Line

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.25 V

Производитель

DiodesZetex

Техническая документация

ZTX652-92291 , pdf , 85 КБ
ZTX653 , pdf , 85 КБ

ZTX653STZ, Транзистор NPN, биполярный, 100В, 2А, 1Вт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 80 руб.

Техническая документация