STD8NM50N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 3А, 45Вт, DPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD8NM50N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2128366

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.5

Конфигурация

Single

Channel Type

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

6.6(Max)

Package Width

6.2(Max)

PCB changed

Package Height

2.4(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

500

Maximum Power Dissipation (mW)

45000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

DPAK

Standard Package Name

TO-252

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

STD8NM50N

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

5 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Process Technology

MDmesh II

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Reel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

790 mOhms

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Коммерческое обозначение

MDmesh

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±25

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

790@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

14@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

364@50V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

4.4

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Техническая документация

Datasheet , pdf , 684 КБ
Datasheet , pdf , 647 КБ

STD8NM50N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 3А, 45Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация