STW28N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 14А, 170Вт, TO247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 570 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW28N60M2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2128315

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

4.51

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-247

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

5.15мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Серия

MDmesh M2

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

15.75мм

Высота

20.15мм

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Id - непрерывный ток утечки

24 A

Pd - рассеивание мощности

190 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STW28 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

22 А

Максимальное рассеяние мощности

170 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

0,15 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1440 пФ при 100 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

24A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

170W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Series

MDmeshв„ў II Plus ->

Maximum Drain Source Resistance

150 мΩ

Maximum Gate Source Voltage

-25 В, +25 В

Qg - заряд затвора

37 nC

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

100 нс

Типичное время задержки включения

14,5 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

36 nC @ 10 V

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1115 КБ
Datasheet STW28N60M2 , pdf , 886 КБ

STW28N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 14А, 170Вт, TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 570 руб.

Техническая документация