FDS86141, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 7А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDS86141

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2127475

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.13

Тип корпуса

SOIC

Ширина

5мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

PowerTrench

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

4мм

Высота

1.5мм

Размеры

4 x 5 x 1.5мм

Id - непрерывный ток утечки

7 A

Pd - рассеивание мощности

5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

19 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SO-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Surface Mount

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

703 пФ при 50 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

23 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.1 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

6.7 nC

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

14,3 нс

Типичное время задержки включения

8.3 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

11,8 нКл при 10 В

Техническая документация

Datasheet FDS86141 , pdf , 419 КБ
Datasheet FDS86141 , pdf , 403 КБ

FDS86141, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 7А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench® - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация