ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSP31.115, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1,3Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BSP31.115, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1,3Вт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BSP31.115, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1,3Вт, SOT223
Последняя цена
65 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BSP31.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2127074
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.12
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
70 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Pd - рассеивание мощности
1300 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.7мм
Длина
6.7мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
70 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7мм
Другие названия товара №
BSP31 T/R
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
4
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Техническая документация
BC807_BC807W_BC327 Datasheet , pdf
, 234 КБ