ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2DD2652-7, Транзистор NPN, биполярный, 12В, 3А, 300мВт, SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
2DD2652-7, Транзистор NPN, биполярный, 12В, 3А, 300мВт, SOT323
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2DD2652-7, Транзистор NPN, биполярный, 12В, 3А, 300мВт, SOT323
Последняя цена
20 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные транзисторы - BJT LOW VSAT NPN SMT 3K
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
2DD2652-7
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2125508
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.02
Base Product Number
2DD2652 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 200mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
260MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Number of Elements per Chip
1
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
270 200ma 2v
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.15 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
270 at 200 mA, 2 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
2DD2
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.3 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
270 at 200 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
260 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
200 mV
EU RoHS
compliant
ECCN (US)
ear99
Part Status
active
Type
npn
Product Category
bipolar power
Configuration
single
Maximum Collector Base Voltage (V)
15
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
12
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.2 25ma 500ma
Maximum DC Collector Current (A)
1.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
500
Maximum Transition Frequency (MHz)
260(typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
tape and reel
Standard Package Name
sot-323
Supplier Package
sot-323
Mounting
surface mount
PCB changed
3
Lead Shape
gull-wing
Производитель
Diodes Incorporated
Техническая документация
Datasheet 2DD2652-7 , pdf
, 75 КБ
Datasheet , pdf
, 89 КБ
Datasheet 2DD2652-7 , pdf
, 84 КБ