IPB034N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; 94Вт; PG-TO263-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 134 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB034N03LGATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2125302

Технические параметры

Вес, г

2.079

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Ширина

9.45мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

OptiMOS 3

Длина

10.31мм

Высота

4.57мм

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

80 А

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

4,7 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

4000 пФ при 15 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

35 нс

Типичное время задержки включения

9,2 нс

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 727 КБ

IPB034N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; 94Вт; PG-TO263-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 134 руб.

Техническая документация