BUL381D, Транзистор n-p-n 400В 5A 70Вт TO220, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT

Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

BUL381D

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2124385

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

1.95

Base Product Number

BUL381 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

250ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 2A, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

70W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.1V @ 750mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

400V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1,1 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Brand

STMicroelectronics

Maximum DC Collector Current

5 А

Pin Count

Dimensions

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Maximum Emitter Base Voltage

9 В

Minimum DC Current Gain

8@2A@5V|10@10mA@5V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Pd - Power Dissipation

70W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Pd - рассеивание мощности

70000 mW

Вид монтажа

Through Hole

Высота

9.15 mm (Max)

Длина

10.4 mm (Max)

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

8 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

800 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

400 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

9 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BUL381D

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.6 mm (Max)

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.1 V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.75

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

800

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

400

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.1@0.2A@1A|1.2@0.4A@2A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.7@0.4A@2A|0.5@0.2A@1A|1.1@0.75A@3A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

70000

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

9.15(Max)

Package Length

10.4(Max)

Package Width

4.6(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

800 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1,2 В

Тип корпуса

TO-220

Техническая документация

Datasheet BUL381D , pdf , 206 КБ
Datasheet BUL381D , pdf , 206 КБ

BUL381D, Транзистор n-p-n 400В 5A 70Вт TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация