MUN5211T1G, Микросборка комбинированная SC-70, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 202 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 60

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MUN5211T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2124247

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.02

Base Product Number

MUN5211 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

202mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2.2mm

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SC-70

Maximum Power Dissipation

310 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

100mA

Height

0.9mm

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 0.9mm

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

202mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.85 mm

Длина

2.1 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN5211

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-70/SOT-323-3

Ширина

1.24 mm

Квалификация

AEC-Q101

Максимальное рассеяние мощности

310 mW

Automotive Standard

AEC-Q101

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

10 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Resistor - Base (R1)

10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 135 КБ
Datasheet , pdf , 409 КБ
Datasheet , pdf , 115 КБ

MUN5211T1G, Микросборка комбинированная SC-70 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация