ZVP2110A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -230мА, 700мВт, TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THT

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 450 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZVP2110A

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2124070

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

230 mA

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

2.41мм

Высота

4.01мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

230mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Power Dissipation (Max)

700mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 375mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

230 mA

Pd - рассеивание мощности

700 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

8 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

15 ns

Время спада

15 ns

Длина

4.77мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

125 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

ZVP2110

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

12 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

TO-92-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

FET

Упаковка

Bulk

Тип корпуса

E-Line

Размеры

4.77 x 2.41 x 4.01мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7 ns

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичная входная емкость при Vds

100 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

230mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

700mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.5V @ 1mA

Техническая документация

ZVP2110A , pdf , 71 КБ
Datasheet ZVP2110A , pdf , 97 КБ

ZVP2110A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -230мА, 700мВт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация