STP19NM50N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 10А; 110Вт; TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel MDmesh ™, 500 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP19NM50N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2123543

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Конфигурация транзистора

одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

to-220

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.6мм

Height

15.75mm

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 в, +25 в

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220

Width

4.6mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP19NM50N

Тип

Power MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

14 A

Pd - рассеивание мощности

110 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

14 a

Максимальное рассеяние мощности

110 вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мω

Максимальное напряжение сток-исток

500 в

Материал транзистора

кремний

Номер канала

поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

250 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Power Dissipation

110 W

Series

MDmesh

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Qg - заряд затвора

34 nC

Время нарастания

16 ns

Время спада

17 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

17 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нкл при 10 в

Минимальное пороговое напряжение включения

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet STP19NM50N , pdf , 711 КБ
Datasheet , pdf , 734 КБ
Datasheet , pdf , 715 КБ

STP19NM50N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 10А; 110Вт; TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.

Техническая документация