IPA60R750E6XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 5,7А, 27Вт, PG-TO220 FullPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Силовые МОП-транзисторы серии Infineon CoolMOS ™ E6 / P6
Серия Infineon МОП-транзисторов серии CoolMOS ™ E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут использоваться в нескольких приложениях, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), осветительные и потребительские устройства, а также солнечные батареи, телекоммуникации и серверы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R750E6XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2123006

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.17

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.65мм

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.9мм

Height

16.15мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220FP

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS E6

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.65мм

Высота

16.15мм

Размеры

10.65 x 4.9 x 16.15мм

Id - непрерывный ток утечки

5.7 A

Pd - рассеивание мощности

27 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

5,7 А

Максимальное рассеяние мощности

27 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

750 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

373 пФ при 100 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

680 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

27 Вт

Series

CoolMOS E6

Maximum Drain Source Resistance

750 мΩ

Transistor Material

Кремний

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Qg - заряд затвора

17.2 nC

Время нарастания

7 ns

Время спада

12 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

9 ns

Типичное время задержки включения

9 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

17,2 нКл при 10 В

Другие названия товара №

IPA60R750E6 SP000842480

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Прямое напряжение диода

0.9V

Техническая документация

Datasheet IPA60R750E6XKSA1 , pdf , 1122 КБ
Datasheet IPA60R750E6XKSA1 , pdf , 1179 КБ

IPA60R750E6XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 5,7А, 27Вт, PG-TO220 FullPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация